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[图]三星宣布128GB内存卡将出现采用30纳米技术

添加时间:2007-10-23 原文发表时间:2007-10-23 人气:1

汉城(韩国)–可移动存储技术又有了新突破,三星电子宣称已经开发出了30纳米存储芯片,它目前能够提供64Gb的存储能力,利用它可以构建8-512GB的闪存和可移动设备.
128GB的内存卡已经不再是梦想,它能存储32000首音乐和80部DVD电影,并且技术的进步还可以为目前的固态硬盘容量带来新的突破,公司计划在2009年将这款产品推向市场.而在今年四月,三星的51纳米NAND Flash的8Gb(SLC)和16 Gb MLC容量版本已经量产.

Wafer containing 30 nm NAND flash chips

64 Gb NAND flash packages

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